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12065A104JAT2A中文资料

厂家型号

12065A104JAT2A

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12

功能描述

Indium Gallium Phosphorus HBT

数据手册

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生产厂商

NXP Semiconductors

简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

12065A104JAT2A数据手册规格书PDF详情

Indium Gallium Phosphorus HBT

WLAN Power Amplifier

Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz.

• 26.5 dBm P1dB @ 2450 MHz

• Power Gain: 27.5 dB Typ (@ f = 2450 MHz, Class AB)

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• EVM = 3 Typ @ Pout = +19 dBM, 14 PAE

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R2 Suffix = 1,500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

更新时间:2025-5-8 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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