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06035J0R4BBS中文资料

厂家型号

06035J0R4BBS

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15

功能描述

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.4pF ACCU-P

数据手册

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生产厂商

恩XP

06035J0R4BBS数据手册规格书PDF详情

250--4000 MHz, 12 dB 22.5 dBm GaAs HFET GPA

The MMH3111NT1 is a general purpose amplifier that is internally input and output prematched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 250 to 4000 MHz such as cellular, PCS, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general small--signal RF.

Features

● Frequency: 250 to 4000 MHz

● P1dB: 22.5 dBm @ 900 MHz

● Small--Signal Gain: 12 dB @ 900 MHz

● Third Order Output Intercept Point: 44 dBm @ 900 MHz

● Single 5 V Supply

● Internally Prematched to 50 Ohms

● Internally Biased

● Cost--effective SOT--89 Surface Mount Plastic Package

● In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7--inch Reel.

06035J0R4BBS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    06035J0R4BBS

  • 功能描述

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.4pF ACCU-P

  • RoHS

  • 制造商

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容

    10 pF

  • 容差

    1 %

  • 电压额定值

    250 V

  • 温度系数/代码

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in

    0505 外壳代码 -

  • mm

    1414

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 125 C

  • 产品

    Low ESR MLCCs

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-9-30 15:03:00
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