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NAND01GW3B2BZA6F中文资料

厂家型号

NAND01GW3B2BZA6F

文件大小

1638.5Kbytes

页面数量

67

功能描述

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R

数据手册

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生产厂商

NUMONYX

简称

NUMONYX恒忆

中文名称

官网

LOGO

NAND01GW3B2BZA6F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GW3B2BZA6F

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R

更新时间:2024-4-30 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICRON
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NUMONYX

中文资料: 4489条

Numonyx恒忆于日前(2008年3月-4月份)正式成立的一个新品牌,中文名叫恒忆,于荷兰注册登记,总部设于瑞士,Numonyx初期的主要营运将针对非挥发性内存提供系统服务并整合产品研发与制造,应用于DSC、MP3/PMP、手机、计算机等各项终端产品中。Numonyx恒忆公司原由ST意法半导体NANDFlash存储器,Intel英特尔NORFlash存储器和FranciscoPartners合资组建的闪存半导体公司。目前ST持有48.1%的股权,Intel持有45.1%,而FranciscoPartners则投资1.5亿美元,取得6.3%的股权。目前Numonyx主要营业项目可区分为两大主要