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NTE342数据手册规格书PDF详情
Description:
The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications.
Features:
● High Power Gain: Gpe ≥ 10dB (VCC = 13.5V, PO = 6W, f = 175MHz)
● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = 15.2V, PO = 6W, f = 175MHz
NTE342产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE342
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
TRANSISTOR NPN SILICON 35V IC=2A PO=6W 175MHZ RF POWER OUTPUR
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Bulk
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
RF PWR 130-175MHz 7W
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Trans GP BJT NPN 17V 2A 3-Pin(3+Tab)
更新时间：2025-10-11 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NTE |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
NTE |
24+ |
199 |
现货供应 |
||||
NTE |
23+ |
39356 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
NTE |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
2022+ |
144 |
全新原装 货期两周 |
|||||
新 |
148 |
全新原装 货期两周 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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