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NTE342数据手册规格书PDF详情
Description:
The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications.
Features:
● High Power Gain: Gpe ≥ 10dB (VCC = 13.5V, PO = 6W, f = 175MHz)
● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = 15.2V, PO = 6W, f = 175MHz
NTE342产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE342
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
TRANSISTOR NPN SILICON 35V IC=2A PO=6W 175MHZ RF POWER OUTPUR
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Bulk
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
RF PWR 130-175MHz 7W
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Trans GP BJT NPN 17V 2A 3-Pin(3+Tab)
更新时间：2026-8-2 11:06:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
26+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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