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MJW21191中文资料

厂家型号

MJW21191

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75.71Kbytes

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2

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

MJW21191数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain Specified up to 8.0

at Temperature

• High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms

• TO−3PN Package

• Complement to Type MJW21192

APPLICATIONS

• designed for power audio output, or high power drivers

in audio amplifiers applications

MJW21191产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21191

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-13 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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