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IRF4S3中文资料

厂家型号

IRF4S3

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136.22Kbytes

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3

功能描述

N-CHANNE POWER MOSFETS

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

IRF4S3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Rds(on) ) at high voltage

• Improved Inductive ruggedness

• Excellent high voltage stability

• Fast switching times

• Rugged polysillcon gate cell structure

• Low Input capacitance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliability

• TO-3 package (High voltage)

更新时间:2025-8-8 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
TO-220
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
23+
TO-220
8000
只做原装现货
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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TO-220
5000
只做原装公司现货
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23+
TO-220
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全新原装正品现货,支持订货
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TO-220
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原装现货假一罚十
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1922+
TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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