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BDW93B中文资料

厂家型号

BDW93B

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138.41Kbytes

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2

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

达林顿晶体管 80W 12A NPN

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

BDW93B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector Current -lc= 12A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = 45V(Min)- BDW93; 60V(Min)- BDW93A 80V(Min)- BDW93B;.100V(Min)- BDW93C

• Complement to Type BDW94/A/B/C

APPLICATIONS

• Designed for hammer drivers, audio amplifier applications.

BDW93B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDW93B

  • 功能描述

    达林顿晶体管 80W 12A NPN

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-2 10:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
ST
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TO-220
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