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BDT31B中文资料

厂家型号

BDT31B

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129.979Kbytes

页面数量

2

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

isc Silicon NPN Power Transistors

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

BDT31B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT31B

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Power Transistors

更新时间:2026-1-31 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
恩XP
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
NEXPERIA/安世
23+
SOT1289
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
恩XP
22+
TO-220F
91436
恩XP
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
恩XP
23+
TO-220
80660
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
BUJEON
2022+
1000
全新原装 货期两周
BUJEON
2026+
SMD
1000
原装正品,假一罚十!
英飞凌
24+
SOT-23-6
27000
公司现货库存,支持实单

BDT31B 晶体管资料

  • BDT31B别名:BDT31B三极管、BDT31B晶体管、BDT31B晶体三极管

  • BDT31B生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT31B制作材料:Si-NPN

  • BDT31B性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • BDT31B封装形式:直插封装

  • BDT31B极限工作电压:880V

  • BDT31B最大电流允许值:3A

  • BDT31B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT31B引脚数:3

  • BDT31B最大耗散功率:40W

  • BDT31B放大倍数

  • BDT31B图片代号:B-89

  • BDT31Bvtest:880

  • BDT31Bhtest:999900

  • BDT31Batest:3

  • BDT31Bwtest:40

  • BDT31B代换 BDT31B用什么型号代替:3DD62C,