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BD897中文资料

厂家型号

BD897

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127.62Kbytes

页面数量

2

功能描述

Silicon NPN Darlington Power Transistor

达林顿晶体管 70W NPN Silicon

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

BD897数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min)

• High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @lc= 3A

• Collector Power Dissipation- : Pc= 70W@ Tc= 25 °C

• 8 A Continuous Collector Current

• Complement to Type BD898

APPLICATIONS

• Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications

BD897产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD897

  • 功能描述

    达林顿晶体管 70W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-6 9:05:00
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