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BD245C中文资料
BD245C产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD245C
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-3PN |
10000 |
全新 |
|||||
POWINV |
16+ |
原厂封装 |
8000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST |
17+ |
TO-218 |
15000 |
原装现货热卖 |
|||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
23+ |
N/A |
46580 |
正品授权货源可靠 |
||||
BOURNS |
1746+ |
TO3P |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
P |
23+ |
TO-3P |
41 |
||||
POWER |
2020+ |
3P |
16000 |
原装正品现货 |
|||
PHI |
2020+ |
TO-3P |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
POWER |
09+ |
3P |
30000 |
原装自己库存 |
BD245C 资料下载更多...
BD245C 芯片相关型号
BD245C 晶体管资料
BD245C别名:BD245C三极管、BD245C晶体管、BD245C晶体三极管
BD245C生产厂家:美国得克萨斯仪表公司
BD245C制作材料:Si-NPN
BD245C性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
BD245C封装形式:直插封装
BD245C极限工作电压:100V
BD245C最大电流允许值:10A
BD245C最大工作频率:<1MHZ或未知
BD245C引脚数:3
BD245C最大耗散功率:80W
BD245C放大倍数:
BD245C图片代号:B-62
BD245Cvtest:100
BD245Chtest:999900
- BD245Catest:10
BD245Cwtest:80
BD245C代换 BD245C用什么型号代替:BD249C,BD257/100,TIP33C,3DD68D,
Datasheet数据表PDF页码索引
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New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司
New Jersey Semiconductor has been 新泽西半导体公司 designing, manufacturing, and producing highly reliable electronic devices since 1957. Our 自1957年以来,设计、制造和生产高度可靠的电子设备。我们的 mission is to supply you with high quality, cost effective discrete devices for commercial, 我们的使命是为您提供高质量、低成本的商用分立设备, industrial,