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2SB1430中文资料

厂家型号

2SB1430

文件大小

128.389Kbytes

页面数量

2

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

Bulk

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

2SB1430数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -100V(Min)

• High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)

• Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -2A, IB= -2mA)

APPLICATIONS

• Designed for low-frequency power amplifiers and low speed switching applications.

2SB1430产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1430

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Bulk

更新时间:2026-2-17 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220F
10000
全新
NEC
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2SB1430 晶体管资料

  • 2SB1430别名:2SB1430三极管、2SB1430晶体管、2SB1430晶体三极管

  • 2SB1430生产厂家:日本日电公司

  • 2SB1430制作材料:Si-P+Darl+Di

  • 2SB1430性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB1430封装形式:直插封装

  • 2SB1430极限工作电压:100V

  • 2SB1430最大电流允许值:5A

  • 2SB1430最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SB1430引脚数:3

  • 2SB1430最大耗散功率:20W

  • 2SB1430放大倍数:β>2000

  • 2SB1430图片代号:B-38

  • 2SB1430vtest:100

  • 2SB1430htest:999900

  • 2SB1430atest:5

  • 2SB1430wtest:20

  • 2SB1430代换 2SB1430用什么型号代替:2SB913,2SB1021,2SB1089,2SB1227,2SB1254,2SB1258,2SB1340,2SB1403,