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DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEO=-100V(Min)
• High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, lc= -2A)
APPLICATIONS
• Designed for low frequency power amplifiers and low speed switching applications.
2SB1087产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1087
- 制造商
JMNIC
- 制造商全称
Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
- 功能描述
Silicon PNP Power Transistors
更新时间：2026-7-30 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220F |
10000 |
全新 |
||||
NEC |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
NEC |
23+ |
TO-220 |
22430 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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2SB1087 芯片相关型号
2SB1087 晶体管资料
2SB1087别名：2SB1087三极管、2SB1087晶体管、2SB1087晶体三极管
2SB1087生产厂家：日本日电公司
2SB1087制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1087性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB1087封装形式：直插封装
2SB1087极限工作电压：100V
2SB1087最大电流允许值：5A
2SB1087最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1087引脚数：3
2SB1087最大耗散功率：30W
2SB1087放大倍数：β=8000
2SB1087图片代号：B-10
2SB1087vtest：100
2SB1087htest：999900
- 2SB1087atest：5
2SB1087wtest：30
2SB1087代换 2SB1087用什么型号代替：BD650,BD902,BDW24C,BDW64C,2SB673,2SB727,2SB885,2SB950,2SB1339,
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