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2N6659中文资料
2N6659产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N6659
- 功能描述
MOSFET 35V 1.8 OHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
S |
18+ |
CAN |
28 |
现货正品专供军研究院 |
|||
Vishay |
23+ |
TO-39 |
19567 |
||||
MOTOROLA |
16+ |
CAN3 |
3000 |
原装现货假一罚十 |
|||
MOT |
1436+ |
CAN |
30000 |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
|||
PHILIPS |
23+ |
CAN-3 |
9980 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
|||
MOT |
2339+ |
CAN3 |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
MOT |
04+ |
CAN |
7000 |
||||
Vishay |
2003 |
TO-39 |
92 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
SILICONIX |
新 |
54 |
全新原装 货期两周 |
||||
sil |
23+ |
NA |
256 |
专做原装正品,假一罚百! |
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New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司
New Jersey Semiconductor has been 新泽西半导体公司 designing, manufacturing, and producing highly reliable electronic devices since 1957. Our 自1957年以来,设计、制造和生产高度可靠的电子设备。我们的 mission is to supply you with high quality, cost effective discrete devices for commercial, 我们的使命是为您提供高质量、低成本的商用分立设备, industrial,