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2N6659中文资料

厂家型号

2N6659

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156.38Kbytes

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1

功能描述

TMOS SWITCHING TRANSISTOR

MOSFET 35V 1.8 OHM

数据手册

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生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

LOGO

2N6659产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6659

  • 功能描述

    MOSFET 35V 1.8 OHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-28 15:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
S
18+
CAN
28
现货正品专供军研究院
Vishay
23+
TO-39
19567
MOTOROLA
16+
CAN3
3000
原装现货假一罚十
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1436+
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sil
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  • NKK
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  • Nova
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  • NPC
  • NPM
  • NSC

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司

中文资料: 26397条

New Jersey Semiconductor has been 新泽西半导体公司 designing, manufacturing, and producing highly reliable electronic devices since 1957. Our 自1957年以来,设计、制造和生产高度可靠的电子设备。我们的 mission is to supply you with high quality, cost effective discrete devices for commercial, 我们的使命是为您提供高质量、低成本的商用分立设备, industrial,