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2N6659数据手册规格书PDF详情
2N6659产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N6659
- 功能描述
MOSFET 35V 1.8 OHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-2 15:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
S |
24+ |
CAN |
66800 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力！ |
|||
Vishay |
23+ |
TO-39 |
19567 |
||||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
3000 |
原装现货假一罚十 |
|||
MOT |
24+ |
CAN3 |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
MOT |
24+ |
CAN |
7000 |
||||
Vishay |
2003 |
TO-39 |
92 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
SILICONIX |
新 |
54 |
全新原装 货期两周 |
||||
sil |
23+ |
NA |
256 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MOT |
18+ |
CAN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
S |
24+ |
CAN |
200 |
进口原装正品优势供应 |
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- P100
- P101
- P102
- P103
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司
中文资料: 26479条
New Jersey Semiconductor成立于1957年，是一家专注于设计、制造和生产高度可靠的电子器件的公司。他们的使命是为商业、工业和军事应用提供高质量、成本效益的离散器件。在该公司的网站上，客户可以通过参数搜索功能或基于零件编号的搜索字段浏览其广泛的器件库。New Jersey Semiconductor还引以为傲的是他们富有经验和知识渊博的销售、工程和支持团队，客户可以随时通过电话、电子邮件或传真与他们联系以了解更多关于产品的信息或提出需求。 该公司的质量管理系统已经通过ISO 9001:2015标准认证，确保其产品符合国际质量标准。作为一家专业的半导体公司，New Jerse
