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2N3055H中文资料

2N3055H
厂家型号

2N3055H
文件大小

84.97Kbytes
页面数量

1页
功能描述

SILICON N-P-N GENERAL - PURPOSE

两极晶体管 - BJT 15A 60V 115W NPN
数据手册

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简称

NJSEMI【新泽西半导体】

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
中文名称

新泽西半导体公司官网

相近规格书

2N3055H数据手册规格书PDF详情

SILICON NPN GENERAL PURPOSE

2N3055 are Homataxial-base type useful for power switching circuits, for series- and shunt-regulator driver and output stages, and for high-fidelity amplifiers.

2N3055H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3055H

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 15A 60V 115W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N3055H供应商...

更新时间：2025-11-24 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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