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2N2647中文资料

厂家型号

2N2647

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337.16Kbytes

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1

功能描述

20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

两极晶体管 - BJT PNP Unijunction

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

2N2647数据手册规格书PDF详情

Silicon Unijunction Transistors

The General Electric 2N2646 and 2N2647 Silicon Unijunction Transistors have an entirely new structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as well as a much higher base-one peak pulse Voltage. In addition, these devices are much faster switches.

2N2647产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N2647

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Unijunction

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-29 20:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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