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PSMN8R0-30YL中文资料

厂家型号

PSMN8R0-30YL

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451.26Kbytes

页面数量

15

功能描述

N-channel 8.3 mΩ 30 V TrenchMOS logic level FET in LFPAK

MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PSMN8R0-30YL数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

DC-to-DC converters

Motor control

Server power supplies

PSMN8R0-30YL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PSMN8R0-30YL

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-21 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia
25+
LFPAK-56
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Nexperia
25+
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22+
LFPAK
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代理渠道/只做原装/可含税