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1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

• Ultra thin package profile of 0.37 mm

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side loadswitch

• Switching circuits

PMZB320UPE供应商...

更新时间：2025-10-30 20:39:00

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