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PMR780SN中文资料

厂家型号

PMR780SN

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207.87Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-channel mTrenchMOS™ standard level FET

MOSFET UTRENCHMOS(TM) FET

数据手册

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简称

NEXPERIA安世

生产厂商

Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

PMR780SN数据手册规格书PDF详情

1.1 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Surface mounted package n Footprint 63 smaller than SOT23

n Low on-state resistance n Fast switching.

n Driver circuits n Switching in portable appliances.

PMR780SN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PMR780SN

  • 功能描述

    MOSFET UTRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
25+
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