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1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Trench MOSFET technology

• Side wettable flanks for optical solder inspection

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

PMPB29XPEAX供应商...

更新时间：2026-2-21 14:13:00

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