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PMN55LN中文资料

厂家型号

PMN55LN

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338.7Kbytes

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13

功能描述

mTrenchMOS™ logic level FET

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PMN55LN数据手册规格书PDF详情

1.1 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PMN55LN in SOT457 (TSOP6).

1.2 Features

n Low on-state resistance in small surface mount package.

1.3 Applications

n DC-to-DC primary side.

PMN55LN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PMN55LN

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 19:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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