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厂家型号	PMDPB58UPE
文件大小	707.4Kbytes
页面数量	14页
功能描述	20 V dual P-channel Trench MOSFET
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	NEXPERIA

1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

PMDPB58UPE供应商...

更新时间：2025-10-14 14:59:00

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参考价格：￥1.5410

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