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PBSS4032ND中文资料

厂家型号

PBSS4032ND

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272.15Kbytes

页面数量

15

功能描述

30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

两极晶体管 - BJT BISS Transistor Hi-Speed Switch

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PBSS4032ND数据手册规格书PDF详情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* Optimized switching time

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High energy efficiency due to less heat generation

* AEC-Q101 qualified

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

PBSS4032ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS4032ND

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BISS Transistor Hi-Speed Switch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-1 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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