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厂家型号	PBSS302PD
文件大小	264.57Kbytes
页面数量	15页
功能描述	40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 两极晶体管 - BJT PNP 40V 4A LOW SAT
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	NEXPERIA

1.1 General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS302ND.

1.2 Features

* Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* 4 A continuous collector current capability IC

* Up to 15 A peak current

* Very low collector-emitter saturation resistance

* High efficiency due to less heat generation

1.3 Applications

* Power management functions

* Charging circuits

* DC-to-DC conversion

* MOSFET gate driving

* Power switches (e.g. motors, fans)

* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

PBSS302PD供应商...

更新时间：2026-2-3 14:59:00

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