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PBSS301ND中文资料

厂家型号

PBSS301ND

文件大小

250.2Kbytes

页面数量

15

功能描述

20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

两极晶体管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PBSS301ND数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS301PD.

1.2 Features

* Very low collector-emitter saturation resistance

* Ultra low collector-emitter saturation voltage

* 4 A continuous collector current

* Up to 15 A peak current

* High efficiency due to less heat generation

1.3 Applications

* Power management functions

* Charging circuits

* DC-to-DC conversion

* MOSFET gate driving

* Power switches (e.g. motors, fans)

* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

PBSS301ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS301ND

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-3 15:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PBSS301ND,115 价格

参考价格:¥1.0157

型号:PBSS301ND,115 品牌:NXP 备注:这里有PBSS301ND多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PBSS301ND批发/采购报价,PBSS301ND行情走势销售排排榜,PBSS301ND报价。