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BUK9E04-30B中文资料

厂家型号

BUK9E04-30B

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14

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

BUK9E04-30B数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Low conduction losses due to low

on-state resistance

 Suitable for logic level gate drive

sources

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

BUK9E04-30B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK9E04-30B

  • 功能描述

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 16:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia USA Inc.
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