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1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6
(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Side wettable flanks for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)
• Trench MOSFET technology
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
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