NTR4170NT1G ON 30V 55mOhm 0.78W MOSFET-SOT-23优势原装现货
NTR4170NT1G产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C -
Rds（最大）@ ID，VGS 55 mOhm @ 3.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 4.76nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 432pF @ 15V
功率 - 最大 780mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.4 A
RDS -于 55@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.4 ns
典型上升时间 9.9 ns
典型关闭延迟时间 15.1 ns
典型下降时间 3.5 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 55@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 780
最大连续漏极电流 2.4
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 55 mOhm @ 3.2A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 780mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 432pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 4.76nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4170NT1GOSCT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 110 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SO-23
典型栅极电荷@ VGS 4.76 nC @ 4.5 V
典型输入电容@ VDS 432 pF @ 15 V
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 4 A
正向跨导 - 闵 8 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 64 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 9.9 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.5 ns
漏极电流（最大值） 4 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.055 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :4A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :45mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0
自11月初5G正式商用至今，5G已经逐渐走进我们的生活，而且5G的信号覆盖也越来越广，一线城市一些地区已经实现了5G信号覆盖。但是在5G建设过程中，还是会有人担心5G基站建设密度这么广，其辐射是否会对人体有害。对此，中国电信官方发布微博为用户解惑，我们一起来看一下吧。
针对用户提出的5G基站建设密度与辐射值的相关问题，中国电信表示：“5G基站的功率和辐射量本来就很小，都是在国家规定的安全值之内的。其次，基站通常离我们比较远，对人体的影响微乎其微。”中国电信提到，相对于基站而言说手机其实距离人们更近一些，所以不用担心基站的辐射问题。
而针对手机的辐射问题，其实现在的手机待机的辐射值约为17.1微瓦/平方厘米，通话时约为93.1微瓦/平方厘米。另外，关于离基站越近辐射越大这个问题，中国电信强调，这样的说法是完全错误的。因为如果距离基站越远信号不好时，手机会提高自己的发射功率，此时的手机的辐射要比基站辐射大得多，而且距离人体更近。
不过，即使手机辐射量增大也都是在正常范围内，不会对人们造成影响，所以也不用担心手机的辐射问题。
目前5G建设的进程正在逐渐加快，未来两年时间国内将实现大部分地区的5G信号建设，5G也将与人们的生活更加息息相关。因此，我们需要以一个更加理智客观的态度对待5G，让5G更好的服务我们的生活。
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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近日，2019中国汽车产业发展(泰达)国际论坛在天津举行，有关部委领导围绕未来汽车发展方向、核心技术突围等关键话题发表了相关看法。
据第一电动报道，国家发展和改革委员会产业发展司司长卢卫生表示，在新一轮科技革命和产业变革的推动下，一百多年的汽车产业正在焕发新生机、构建新生态、经历新变局，电动化、智能化进一步深刻改变汽车传统的生产形态、技术架构、制造过程和服务方式，也必将重构汽车产业链和价值链。为此，国家发改委将做好政策、规划衔接，加强顶层设计和谋划，抓紧出台智能汽车发展战略。
他还强调，在核心技术攻关层面，要全面梳理技术瓶颈，聚焦重点任务清单，培育引进企业和企业联合体，打造创新发展平台和产业协同体系，提升产业技术能力和水平。同时，统筹运用好各种资源，集中优势力量，在新型动力电池、电控系统、芯片等关键零部件等方面尽快突破一批核心技术，彰显核心竞争力。
财政部经济建设司一级巡视员宋秋玲则提出，燃料电池汽车和纯电动汽车技术特点不同，有各自适合应用的场景，未来应该是互补、共存而不是替代的关系。目前做大做强新能源汽车业对于促进汽车智能化、网联化等都有重要的现实意义。
宋秋玲还指出，目前动力电池性能仍不能完全满足需求，车用控制芯片、电机控制器等一些关键部件依赖进口，随着逆全球化趋势有供应链断裂的可能，需要着力突破。
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