制造商: Cree， Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 12 A
输出功率: 120 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: 440193
封装: Tray
应用: -
配置: Single
高度: 4.19 mm
长度: 20.45 mm
工作频率: 1 GHz to 2.5 GHz
工作温度范围: -
产品: GaN HEMT
宽度: 5.97 mm
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
闸/源截止电压: -
类: -
开发套件: CGH40120F-TB
下降时间: -
NF—噪声系数: -
P1dB - 压缩点: -
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: -
上升时间: -
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: -
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
