CGH40180PP

发布企业:千层芯半导体(深圳)有限公司时间:2019-12-7 11:59:00

企业千层芯半导体(深圳)有限公司

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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 19 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 24 A

输出功率: 220 W

最大漏极/栅极电压: -

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: -

安装风格: Screw Mount

封装 / 箱体: 440199

封装: Tray

应用: -

配置: Dual

高度: 4.34 mm

长度: 29 mm

工作频率: 1 GHz to 2.5 GHz

工作温度范围: -

产品: GaN HEMT

宽度: 5.97 mm

商标: Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值: -

闸/源截止电压: -

通道数量: 2 Channel

类: -

开发套件: CGH40180PP-TB

下降时间: -

NF—噪声系数: -

P1dB - 压缩点: -

产品类型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻: -

上升时间: -

工厂包装数量: 100

子类别: Transistors

典型关闭延迟时间: -

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

180 W, RF Power GaN HEMT

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CreeCree, Inc

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180 W, DC - 2.0 GHz, 50 V, GaN HEMT

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2025-8-11 23:01:00
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