CGH55030F2/P2

发布企业:千层芯半导体(深圳)有限公司时间:2019-12-7 11:37:00

企业千层芯半导体(深圳)有限公司

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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt

制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 12 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 3 A

输出功率: 25 W

最大漏极/栅极电压: -

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: -

安装风格: Screw Mount

封装 / 箱体: 440166

封装: Tray

应用: -

配置: Single

高度: 3.43 mm

长度: 14.09 mm

工作频率: 4.5 GHz to 6 GHz

工作温度范围: -

产品: GaN HEMT

宽度: 4.19 mm

商标: Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值: -

闸/源截止电压: -

类: -

下降时间: -

NF—噪声系数: -

P1dB - 压缩点: -

产品类型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻: -

上升时间: -

工厂包装数量: 60

子类别: Transistors

典型关闭延迟时间: -

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V

2025-8-11 17:59:00
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