MwT-A989 ： DC-4 GHz封装的FET。公司优势库存。
特征：
?非常适合DC – 4.0 GHz高线性/高动态范围应用
?出色的射频性能：
40 dBm IP3
65 dBc ACPR
25 dBm P1分贝
2000MHz时为17 dB SSG
0.9dB NF @ 2000MHz
?MTTF> 100年@环境温度85°C
?符合RoHS要求的无铅表面贴装SOT-89封装
描述：
MwT-A989是采用低成本SOT89封装的高线性GaAs MESFET器件，非常适合高动态范围LNA
应用程序。这些应用包括2G，2.5G和3G无线基础架构标准，例如GSM，TDMA，cdma，Edge，
cdma2000，WCDMA，TD-SCDMA和UMTS基站。该产品也是高数据速率无线局域网基础设施的理想选择
应用，例如高QAM速率的802.11 WiFi和802.16 WiMax基站以及AP（接入点）。另外，
该产品可用于点对点微波通信链接。 MwT-A989的三阶拦截性能为
出色，通常比1 dB功率增益压缩点高14 dB。在900 MHz时，NF低至0.6 dB。芯片生产
使用MwT专有的高线性度器件设计和工艺以及可靠的金属系统。所有芯片均使用MwT钝化
获得专利的“类金刚石碳”工艺可提高耐用性
(MWt)成立于1982年，由具有广泛经验的砷化镓(GaAs)器件设计和制造的技术负责人。由于一家工厂占地35，000平方英尺，该公司的主要资产包括其GaAs半导体工厂和一个混合芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品强度为微波元件市场提供了不寻常的?易用性和机会。
今天，MWt是一家领先的美国制造商，生产分立砷化镓二极管和晶体管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期着重于设备可靠性的工作导致了专有的金属化系统，使MWt的设备不受氢污染，这是目前高可靠性工业非常关注的项目。
这些设备采用专有的epi材料和四分之一微米的凹进栅工艺技术，产生高度线性(1WP-1dB无线放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪声(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移)，功率输出从10毫瓦到5瓦不等。这些设备作为芯片或封装出售，?广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大?传输或接收无线基础设施系统、工业射频应用以及各种国防和航天电子领域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
MGA-444940-02
MGA-445343-99
MGA-495940-02
MGA-515844-99
MGA-718540-HP3
MGA-718544-HP3
MwT-GK-C
MwT-GK-P
MwT-GX-C
MwT-GX-P
MwT-0204S/Z-LN600
MwT-0307S/Z-LN600
MwT-0513S/Z-LN300
MwT-0718S/Z-LN300
MwT0206-11P2
MwT0206-1G1
MwT0206-1G2
MwT0206-2P2
MwT-1789
MWT-1789SB
MWt-A989
MWT-17Q3
MWT-22Q4
