MwT-LN240 ： 26 GHz超低噪声pHEMT器件。公司优势库存。
功能应用
MwT-LN240
? 26 GHz超低噪声pHEMT器件
描述
z 0.5 GHz时的最小噪声系数为0.5 dB
12 GHz时的10 dB相关增益
12 GHz时z 16 dBm P1dB
z 0.15微米x 240微米浇口
z超低噪声应用的绝佳选择
z适用于商业，军事，高层空间应用
MwT-LN240是一种超低噪声，准增强模式的pHEMT，其额定栅极长度为0.15微米，
240微米的栅极宽度使其非常适合要求低噪声系数和高相关增益的应用
高达30 GHz。 该设备对宽带（例如6至18 GHz）和窄带应用同样有效。 每个晶圆
可以进行筛选以满足军事和太空应用的高质量和可靠性要求。
GaAs FET/PHEMTs射频特性(25°C下的典型性能)
超线性，高动态范围，低相位噪声
GaAs工艺被批准用于具有可靠度的空间应用
商业、工业、军事和空间等级
100%晶片键拉，模剪，晶片直流烧损，烘焙试验在评估每MIL-PRF-38534
100%模具探针试验及装运数据记录
装运前完成100%的视觉(第1级、第3级或第4级)
100%Idss匹配以提供性能一致性
可根据要求提供射频样品测试能力
标准和自定义设备规范
提供高REL和空间REL筛选选项
提供无铅兼容产品
MwT-LN240
MwT-LN300
MwT-LN600
