为诸如 IGBT7 之类电动机的电机驱动系统提供优化的技术，可以完美地满足过载和开关速度控制等驱动器应用的需求。随着人们对能源成本的认识不断提高，无论是在环境方面还是在财务方面，利用电力驱动电动机的方式都需要更高效率。通过对电动机的电机驱动系统进行速度和转矩控制，可以实现过程优化，从而实现高度节能。
1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 和 EC7 二极管技术基于最新的微图案沟槽技术，可大幅降低损耗并提供高水平的可控性。该芯片专门针对工业驱动应用进行了优化，这意味着更低的静态损耗、更高的功率密度和更软的开关。另外，通过将功率模块中允许的最高工作温度提高到 +175°C，可以显著提高功率密度。
Infineon Technologies 推出了 CoolSiC? MOSFET 技术，可实现不同的产品设计。与诸如 IGBT 和 MOSFET 的传统硅基开关相比，碳化硅 (SiC) MOSFET 在性能、可靠性和易用性方面具有一系列优势。SiC 为系统设计师带来了新的灵活性，使设计师可以获得前所未有的效率和可靠性。
CIPOS? Maxi 1200 V、10 A 三相基于 IGBT 的智能电源模块，采用 DIP 36x23D 封装，具有开路发射极，提供了具有出色导热性的全功能紧凑型逆变器解决方案。一些应用包括电机驱动器，例如工业驱动器、风扇和泵、HVAC 以及有源滤波器。
EiceDRIVER? 电隔离栅极驱动器使用磁耦合无芯变压器 (CT) 技术来提供跨电隔离的信号传输。它提供功能型、基本型和增强型隔离 UL 1577 和 VDE 0884 认证产品。隔离允许非常大的电压摆幅（例如，±1200 V）。
Infineon 的绝缘硅片 (SOI) 技术是一种高压、电平转换技术，具有独特的、可衡量的优势，包括集成的自举二极管 (BSD)，并且具有强大的防护能力，可防止负瞬态电压尖峰。每个晶体管都被掩埋的二氧化硅隔离，从而消除了引起闭锁的寄生双极晶体管。这项技术还可以降低电平转换功率损耗，以最大程度地降低设备开关功耗。先进的工艺为单片式高压和低压电路结构带来技术增强的优势。
FF6MR12W2M1B11BOMA1，IM818MCCXKMA1，1ED020I12F2XUMA1，1EDC60H12AHXUMA1
