IRLML6402TRPBF INFINEON MOSFET，P CH，-20V，-3.7A，SOT-23
IRLML6402TRPBF产品详细规格
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.04mm
典型输入电容值@Vds 633 pF@ 10 V
系列 HEXFET
通道模式 增强
高度 1.02mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 65 mΩ
最大栅阈值电压 1.2V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1.3 W
最大栅源电压 ±12 V
宽度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小栅阈值电压 0.4V
最大漏源电压 20 V
典型接通延迟时间 350 ns
典型关断延迟时间 588 ns
封装类型 SOT-23
最大连续漏极电流 3.7 A
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 5 V
安装风格 SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
晶体管极性 P-Channel
Qg - Gate Charge 8 nC
工厂包装数量 3000
品牌 Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current - 3.7 A
Pd - Power Dissipation 1.3 W
封装 Reel
长度 2.9 mm
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms
封装/外壳 SOT-23-3
晶体管类型 1 P-Channel
