PESD24VL1BANXP双向

时间:2019-9-16 10:51:00

PESD24VL1BA NXP 双向

PESD24VL1BA NXP 双向 TVS 二极管, 200W, 7SOD-323原装正品

配置Single

外形尺寸1.8 x 1.35 x 1.05mm

方向类型Bi-Directional

ESD保护Yes

身高1.05mm

长度1.8mm

最大钳位电压70V

最高工作温度+150 °C

最大峰值脉冲电流3A

最大反向漏泄电流0.05μA

最大反向防区外电压24V

最小击穿电压25.4V

最低工作温度-65 °C

安装类型Surface Mount

每个芯片的元件数1

包装类型UMD

峰值脉冲功率耗散200W

引脚数2

测试电流5mA

宽度1.35mm

二极管类型:Bidirectional TVS

Clamping Voltage Vc Max:27.8V

Diode Case Style:SOD-323

No. of Pins:2

MSL:-

SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Alternate Case Style:SC-76

击穿电压:27.8V

Breakdown Voltage Max:30.3V

Breakdown Voltage Min:25.4V

Breakdown Voltage Range:25.4V to 30.3V

Breakover Voltage Min:25.4V

Capacitance Cd @ Vr Max:9pF

Capacitance Cd @ Vr Typ:11pF

Clamping Voltage @ 8/20μs Max:70V

二极管配置:Bidirectional

Peak Pulse Current Ippm:3A

Peak Pulse Power:200W

引脚配置:1

Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:24V

SMD Marking:AF

Stand-off Voltage:24V

TVS Polarity:Bidirectional

Weight (kg)0.000004

Tariff No.85411000

PESD5V0V1BSF,315产品详细规格

极性Bidirectional

工厂包装数量9000

Vesd - Voltage ESD Contact8 kV

钳位电压12.8 V

Ipp - Peak Pulse Current1 A

品牌Nexperia

Pd - Power Dissipation8 W

端接类型SMD/SMT

Cd - Diode Capacitance3.5 pF

封装Reel

击穿电压6 V

Vesd - Voltage ESD Air Gap15 kV

通道数1 Channel

封装/外壳SOD-962

最高工作温度+ 150 C

RoHSRoHS Compliant

网易科技讯 9月12日消息,苹果公司CEO库克近日在接受腾讯新闻采访时对新iPhone不支持5G的原因进行了回应,库克表示,5G技术目前有些超前,经过研究发现,目前5G市场无论是基础架构或者芯片还并未成熟,不足以推出一个高质量的产品。并表示,如果苹果能够将4G的网速最大程度的充分利用,4G下依然有很大的潜力去挖掘和提升。

另外,在采访中,库克还回应了普通消费者关注的iPhone售价问题。库克表示,为了让iPhone售价变得更亲民,iPhone 11的发售价格已经比iPhone XR刚上市的时候价格变得更低了,同时,苹果推出了换购和分期等购买方案,这让iPhone在中国的销量得到可观的提升。

近年来苹果的创新能力饱受质疑,对此库克表示,苹果最大的优势其实是整合。有些厂商可以打造操作系统,有些厂商负责制作手机芯片,有些其他的厂商则是制作手机。但他们都没有办法将这三个方向真正的整合在一起,从而给用户提供更好的使用体验。

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300W peak pulse power (tp = 8/20μs)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

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台舟电子台舟电子股份有限公司

2025-8-10 23:44:00
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