SI2333CDS-T1-E3公司全新原装现货

发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司时间:2019-8-29 8:48:00

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SI2333CDS-T1-E3数据表

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 12 V

Id-连续漏极电流: 7.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.45 mm

长度: 2.9 mm

系列: SI2

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.6 mm

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 18.5 S

下降时间: 12 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 35 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

零件号别名: SI2333CDS-E3

单位重量: 8 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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2025-8-16 10:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI2333CDS-T1-E3
VISHAY
SOT23
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