时间：2019-8-9 10:43:00
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 253μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 137W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS-P2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) | 24+ | PG-TO252-3 | 10048 | 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 | |||
INFINEON/英飞凌 | 23+/24+ | TO-252 | 9865 | 原装正品,专业代理MOS(场效应管) | |||
INFINEON | 16+PBF | TO-252 | 1635 | 现货 | |||
VB | 21+ | TO-252 | 10000 | 原装现货假一罚十 | |||
INFINEON | 24+ | TO252 | 10000 | 低于市场价,实单必成,QQ1562321770 | |||
INFINEON/英飞凌 | 22+ | TO-252 | 25000 | 只做原装 | |||
Infineon | 24+ | NA | 3000 | 进口原装正品优势供应 | |||
Infineon(英飞凌) | 23+ | 标准封装 | 7000 | 原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 | |||
80000 | |||||||
NK/南科功率 | 2025+ | TO-252 | 2780 | 国产南科平替供应大量 |
