时间：2019-8-9 10:43:00
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 253μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 137W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS-P2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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