时间：2019-8-9 10:43:00
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 253μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 137W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS-P2 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) | 24+ | TO-252 | 14603 | 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 | |||
INFINEON | 100000 | 代理渠道/只做原装/可含税 | |||||
Infineon | 20+ | 原装 | 65790 | 原装优势主营型号-可开原型号增税票 | |||
INFINEON/英飞凌 | 24+ | NA | 990000 | 明嘉莱只做原装正品现货 | |||
英飞凌 | 24+ | N/A | 5000 | 十年沉淀唯有原装 | |||
NFINEO | 25+ | 25000 | 原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! | ||||
INFINEON | 1932+ | TO-252 | 1211 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
Infineon | 23+ | PG-TO252-3 | 15500 | 英飞凌优势渠道全系列在售 | |||
N/A | 23+ | TSSOP | 7300 | 专注配单,只做原装进口现货 | |||
Infineon/英飞凌 | 23+ | PG-TO252-3 | 25630 | 原装正品 |
