GS‑065‑011‑1‑TR 增强型氮化镓 GaN HEMT

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

RoHS:

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PDFN-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

最大工作频率: 1 MHz

最小工作频率: 0 Hz

湿度敏感性: Yes

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

产品: MOSFETs

产品类型: GaN FETs

系列: GS-065

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

技术: GaN-on-Si

晶体管类型: E-Mode