S2M0160120K and_S2M0160120D 是单 SiC 功率 MOSFET，采用 TO-247-4 外壳 (S2M0160120K) 或 TO-247-3 外壳 (S2M0160120D) 封装。该器件是高压 N 沟道增强型 MOSFET，在极端温度下具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。
S2M0160120K/D MOSFET 非常适合具有挑战性的环境中的能量敏感高频应用。
特性
正温度特性，易于并联
低导通电阻 RDS(ON)：175mΩ（典型值）
开关速度快，开关损耗低
超快内在耐用型体二极管
雾面锡电镀工艺
应用
电动汽车 (EV)：快速充电模块和车载充电器
太阳能逆变器
在线式 UPS 和工业 UPS
开关模式电源 (SMPS)
直流/直流转换器
蓄能系统 (ESS)
