发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2024-8-27 9:07:00
S2M0160120K and_S2M0160120D 是单 SiC 功率 MOSFET，采用 TO-247-4 外壳 (S2M0160120K) 或 TO-247-3 外壳 (S2M0160120D) 封装。该器件是高压 N 沟道增强型 MOSFET，在极端温度下具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。
S2M0160120K/D MOSFET 非常适合具有挑战性的环境中的能量敏感高频应用。
特性
正温度特性，易于并联
低导通电阻 RDS(ON)：175mΩ（典型值）
开关速度快，开关损耗低
超快内在耐用型体二极管
雾面锡电镀工艺
应用
电动汽车 (EV)：快速充电模块和车载充电器
太阳能逆变器
在线式 UPS 和工业 UPS
开关模式电源 (SMPS)
直流/直流转换器
蓄能系统 (ESS)
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon Carbide Power MOSFET C2M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. |   | ||
N-Channel Enhancement Mode | CreeCree, Inc 科锐 | | ||
1200V SIC POWER MOSFET | SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | | ||
1200V SIC POWER MOSFET | SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | | ||
1200V SIC POWER MOSFET | SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMD | 2010+ | SMD | 41 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
RCR | 24+ | SOP-8 | 8540 | 只做原装正品现货或订货假一赔十! | |||
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INFINEON | 23+ | MQFP44 | 7000 | 专注配单,只做原装进口现货 |
