IKW40N65ES5

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进口代理

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.35 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 79 A

Pd-功率耗散: 230 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 S5

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

工作温度范围: - 40 C to + 175 C

产品类型: IGBT Transistors

240

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

宽度: 5.31 mm

单位重量: 38 g

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IKW40N65ES5	high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65ES5_15	high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BIDW40N65ES5	BIDW40N65ES5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
IKB40N65ES5	High speed switching series 5th generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKFW40N65ES5	TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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2025-8-16 23:00:00