IKW40N65ES5

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2024-1-8 10:18:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.35 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 79 A

Pd-功率耗散: 230 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 S5

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

工作温度范围: - 40 C to + 175 C

产品类型: IGBT Transistors

240

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

宽度: 5.31 mm

单位重量: 38 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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BIDW40N65ES5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

High speed switching series 5th generation

InfineonInfineon Technologies AG

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TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package

InfineonInfineon Technologies AG

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2025-10-3 17:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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INFINEON
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