FDP075N15A-F102是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是一种常用的功率半导体器件。MOSFET是一种主要用于开关和放大电路的晶体管，其特点是具有高输入电阻和低输出电阻，能够在高频率下工作，并且具有较高的功率处理能力。
FDP075N15A-F102 MOSFET具有75A的额定电流和150V的额定电压，适用于各种功率电子应用，如电源转换器、电机驱动器和电磁兼容性（EMC）滤波器等。它的特性包括低导通电阻、高开关速度和低输入电容，使其能够在高效率和高性能的电路中发挥作用。
在实际应用中，FDP075N15A-F102 MOSFET需要正确的驱动电路和散热设计以确保其稳定可靠的工作。此外，对于不同的应用场景，还需要考虑到其在温度、电压和电流等方面的特性参数，以确保其能够满足特定的要求。
总的来说，FDP075N15A-F102 MOSFET作为一种常见的功率半导体器件，在各种电子设备和系统中发挥着重要作用。通过深入了解其特性和正确的应用方法，可以更好地发挥其性能，为电子产品的设计和制造提供更可靠的解决方案。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
系列: FDP075N15A
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 21 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g
