IRLR2905TRPBF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-11-1 9:11:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 36 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 15 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 84 ns

2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: HEXFET Power MOSFET

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HEXFET Power MOSFET

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International Rectifier

Advanced Process Technology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

HEXFET Power MOSFET

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International Rectifier

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

Advanced Process Technology

IRF

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2025-8-13 20:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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