INFINEON/英飞凌 IGW50N60H3 IGBT晶体管 封装TO-247 原装现货 价格优势

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.85 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流: 100 A

Pd-功率耗散: 333 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

集电极最大连续电流 Ic: 100 A

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

240

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

零件号别名: SP000702548 IGW5N6H3XK IGW50N60H3FKSA1

单位重量: 38 g