门驱动器CSD97396Q4M同步降压NexFET?电源级
1 .在15 A·Ultrabook/Notebook DC/DC转换器上，系统效率超过93%;和计算系统?高密度——儿子3.5毫米×4.5毫米足迹?超低电感包3描述?System-Optimized PCB足迹驱动器CSD97396Q4M NexFET?功率级是一个?超低静止(ULQ)当前模式高度优化的设计中使用的大功率、高?3.3 V和5 V密度同步buck变换器PWM信号兼容。本产品集成驱动芯片和NexFET技术，以?二极管仿真模式与FCCM实现功率级切换功能。输入电压高达24v的驱动芯片内置可选二极管仿真三态PWM输入功能，使DCM操作提高光负载效率。此外，驱动IC支持?集成引导二极管ULQ模式，支持连接待机?射穿保护Windows?8。PWM输入的三态”、“通过无铅认证——无铅镀终端静态电流降低到130μA，立即响应。当跳过#举行三态”、“无卤素电流降低到8μA(通常需要20μs恢复开关)。这种组合产生一个高电流，高效率，高速开关装置在一个小3.5×4.5毫米轮廓包。此外，PCB的足迹被优化，以帮助减少设计时间和简化完成整个系统的设计功率级驱动器CSD97396Q4M是一个高度优化的设计，用于同步降压应用使用NexFET设备与5 V门驱动器。控制场效应晶体管(FET)和同步场效应晶体管(FET)硅是参数调谐，以产生最低的功率损失和最高的系统效率.
驱动器CSD97396Q4M外部VDD电压需要提供集成的栅驱动器IC，并为mosfet提供必要的栅驱动器电源。1μF 10 V X5R或更高的陶瓷电容器建议绕过VDD PGND销。还包括一个为控制场效应晶体管提供栅驱动电源的引导电路。驱动控制场效应晶体管的引导电源是通过在引导和BOOT_R引脚之间连接一个100nf 16v X5R陶瓷电容器而产生的。一个可选的RBOOT电阻可以用来降低控制FET的开启速度，并减少VSW节点上的电压峰值。一个典型的1Ω4.7Ω值是一个开关损耗和甚短波峰值振幅之间的妥协。
7.3.2欠压锁定(UVLO)保护UVLO比较器对VDD电压水平进行评估。随着VVDD的提高，控制场效应晶体管和同步场效应晶体管门一直保持在较低的位置，直到VVDD达到较高的UVLO阈值(VUVLO_H)。，然后驱动程序开始工作，并响应PWM和跳过#命令。如果VDD低于较低的UVLO阈值(VUVLO_L = VUVLO_H -滞后)，则设备将禁用驱动程序，并将控制场效应晶体管和同步场效应晶体管门的输出积极地压低
