TC = 70°C 5.5 TA = 25°C 5.3a， b TA = 70°C 4.4a， b脉冲漏电流IDM 30
连续源漏二极管电流TC = 25°C是3.1 TA = 25°C 2a， b雪崩当前L = 0 1 mHas12单脉冲雪崩能量EAS 7.2 mJ
最大功耗TC = 25°CPd3.7WTC = 70°C 2.6 TA = 25°C 2.4a， b TA = 70°C 1.7a， b运行结及储存温度范围TJ， Tstg - 55 ~ 175℃
热阻额定值参数符号典型最大单元最大连接到中间值，ct≤10 s RthJA 50 62.5℃/W最大连接到脚(漏)稳态RthJF 33 41文件编号:73411 S09-2434-Rev。C， 16-Nov-09
威世Siliconix Si4946BEY
注:a.脉搏试验;脉冲宽度≤300μs，工作周期≤2%。b.设计保证，不经生产测试。
超过“绝对最大额定值”下列出的应力可能对设备造成永久性损坏。这些只是应力额定值，设备在这些或任何其他条件下的功能运行不包括在规范的操作部分中指出的情况之外。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。
除非另有说明，否则规格TJ = 25℃。Max。单元静态漏源极击穿电压VDS vg = 0 V， ID = 250μA 60 V VDS温度系数ΔVDS / TJ ID = 250μA 53 mV /°C vg (th)温度系数ΔVGS (th) / TJ - 6.7 Gate-Source阈值电压vg VDS公司(th) = vg ID = 250μA 1.0 2.4 3.0 V Gate-Source泄漏igs VDS = 0 V， vg =±20 V±100 nA
零栅电压漏电流IDSS
VDS = 60v， VGS = 0 v1漏源通态电阻RDS(on)VGS = 10v， ID = 5.3 A 0.033 0.041Ω
vg = 4.5 V， ID = 4.7 0.041 0.052向前Transconductancea gfs VDS = 15 V， 5.3 ID = 24 S Dynamicb输入电容cis VDS = 30 V， vg = 0 V， f = 840 MHz pFOutput反向传输电容电容输出电容71 crs 44总门电荷Qg
VDS = 30v， VGS = 10v， ID = 5.3 A 17 25数控VDS = 30v， VGS = 5v， ID = 5.3 A
9.2 12 Gate-Source电荷中的3.3 Gate-Drain Qgd收费3.7门阻力Rg f = 1 MHz 3.1 6.5 9.5Ω接通延迟时间td(上)VDD = 30 V， RL = 6.8ΩID 4.4?VGEN = 4.5 V， Rg = 1Ω20 30
ns上升时间tr 120 180断开延时td(关闭)20 30下降时间tf 30 45接通延迟时间
