TH13N120K5-2AG

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-4-27 10:35:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: H2PAK-2

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 690 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 44.2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: MDmesh

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 18.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 68.5 ns

典型接通延迟时间: 23 ns

单位重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK?2 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
2025-8-2 19:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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