SQJ844AEP-T1

时间:2023-3-14 10:03:00

SQJ844AEP-T1

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 13.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 26 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

系列: SQ

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Vishay / Siliconix

配置: Dual

下降时间: 7 ns

正向跨导 - 最小值: 20 S

高度: 1.04 mm

长度: 6.15 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 4.5 ns

宽度: 5.13 mm

单位重量: 506.600 mg

2025-8-10 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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