制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 13.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
系列: SQ
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Dual
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
宽度: 5.13 mm
单位重量: 506.600 mg
