制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: "30 V, 25 V"
Id-连续漏极电流: 750 mA
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms, 1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 1.03 nC, 1.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDG8842CZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 1 ns, 16 ns
高度: 1.1 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns, 16 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 9 nS, 35 nS
典型接通延迟时间: 4 nS, 6 nS
宽度: 1.25 mm
单位重量: 28 mg
