MRF151G

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进口代理

制造商: MACOM

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 40 A

Vds-漏源极击穿电压: 125 V

工作频率: 175 MHz

增益: 14 dB

输出功率: 300 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装: Tray

商标: MACOM

配置: Dual

Pd-功率耗散: 500 W

产品类型: RF MOSFET Transistors

子类别: MOSFETs

类型: RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压: 40 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

单位重量: 10.600 g

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
MRF151	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF151	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	MACOM Tyco Electronics
MRF1511NT1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF1511T1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
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MRF1513T1	RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF1517NT1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF1517T1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF1517T1	The RF MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF1518NT1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔

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2024-4-27 16:12:00