MRF151G

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进口代理

制造商: MACOM

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 40 A

Vds-漏源极击穿电压: 125 V

工作频率: 175 MHz

增益: 14 dB

输出功率: 300 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装: Tray

商标: MACOM

配置: Dual

Pd-功率耗散: 500 W

产品类型: RF MOSFET Transistors

子类别: MOSFETs

类型: RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压: 40 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

单位重量: 10.600 g

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
MRF151	RF Power Field-Effect Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF151	RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF151	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF151	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF151_15	RF Power Field-Effect Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF151_17	RF Power Field-Effect Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF1511N	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF1511N	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF1511NT1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF1511NT1	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

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2025-8-15 11:45:00