IRLML6401TRPBFINFINEON晶体管MOSFET优势产品原装现货

IRLML6401TRPBF INFINEON 晶体管 MOSFET 12V 4.3A SOT-23优势产品原装现货进口热卖

IRLML6401TRPBF产品详细规格

高度 1.02mm

晶体管材料 Si

类别 功率 MOSFET

长度 3.04mm

典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V

通道模式 增强

安装类型 表面贴装

每片芯片元件数目 1

最大漏源电阻值 50 mΩ

通道类型 P

Board Level Components Y

最高工作温度 +150 °C

最大栅阈值电压 0.95V

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 1.3 W

最大栅源电压 ±8 V

宽度 1.4mm

尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

最小栅阈值电压 0.4V

最大漏源电压 12 V

典型接通延迟时间 11 ns

典型关断延迟时间 250 ns

封装类型 微型

最大连续漏极电流 4.3 A

引脚数目 3

晶体管配置 单

典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V

工厂包装数量 3000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 12 V

晶体管极性 P-Channel

Rds On - Drain-Source Resistance 50 mOhms

Pd - Power Dissipation 1.3 W

品牌 Infineon Technologies

Id - Continuous Drain Current - 4.3 A

封装 Reel

身高 1.1 mm

安装风格 SMD/SMT

长度 2.9 mm

封装/外壳 SOT-23-3

通道数 1 Channel

Qg - Gate Charge 10 nC

Vgs - Gate-Source Voltage 8 V

晶体管类型 1 P-Channel